而在Q1T1 4K隨機(jī)讀取性能方面，致態(tài)和西數(shù)、閃迪能比較好地保持測試成績，三星、雷克沙和聯(lián)想則有相對明顯的性能下滑：

當(dāng)然要說明的是，這些不同占用率下的測試結(jié)果僅供參考，畢竟為了精確控制占用率，這些用于填盤的是測試軟件生成的整塊大文件，其對PSSD的污染程度要比實(shí)際使用中大小混雜的真實(shí)文件更小。

不過總的來說，閃迪、西數(shù)和致態(tài)這三款原廠產(chǎn)品，在不同占用率下無論是順序還是QD1隨機(jī)讀取的表現(xiàn)都能保持在一個(gè)比較穩(wěn)定的高性能區(qū)間，表現(xiàn)真的挺出色。

而同為原廠出品的三星T9，其表現(xiàn)有些出人意料，隨著占用率的提高，各測試項(xiàng)目的成績都有相對明顯的下滑。盡管在這種不夠嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試中，緩存策略或者主控機(jī)制都有可能引起它的性能下滑，但從結(jié)果上看，確實(shí)是有點(diǎn)不盡人意。

雷克沙和聯(lián)想這兩塊國產(chǎn)的模組產(chǎn)品，在占用率逐步提高后，順序讀寫方面的穩(wěn)定性表現(xiàn)尚可，只是在QD1隨機(jī)讀取測試中的表現(xiàn)還是要弱了一點(diǎn)兒。

2.PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試

接著我們使用PCMark10的完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試功能，來測試6款PSSD的綜合性能。

在該項(xiàng)測試中，致態(tài)靈·潮流版得分最高，達(dá)到了1289分，和1283分的閃迪E81非常接近；接下來西數(shù)P40和聯(lián)想PS10的得分則在1000左右；而三星T9和雷克沙SL500的成績就相對低一些，不到800分。

3.3DMark存儲(chǔ)基準(zhǔn)測試

3DMark 存儲(chǔ)基準(zhǔn)測試是一項(xiàng)專用組件測試，用于衡量現(xiàn)代 PC 存儲(chǔ)設(shè)備對游戲體驗(yàn)的影響，它支持所有最新的存儲(chǔ)技術(shù)，更適合用來對游戲盤進(jìn)行測試，這對于一些喜歡把游戲安裝包放在PSSD里的朋友來說比較有參考價(jià)值。

在這項(xiàng)測試中，6款產(chǎn)品的得分如下圖所示：

4.全盤寫入曲線

我很好奇這6款PSSD在應(yīng)對超大量的順序?qū)懭肴蝿?wù)時(shí)，速度表現(xiàn)會(huì)發(fā)生什么變化，因此在無文件系統(tǒng)的情況下，對它們進(jìn)行了全盤容量范圍的順序?qū)懭霚y試（Q32T1、128K），并且將記錄到的日志制作成如下的匯總曲線圖：

致態(tài)、三星和閃迪三款產(chǎn)品在全盤的平均順序?qū)懭胨俣确矫嬗忻黠@的優(yōu)勢，而西數(shù)、雷克沙和聯(lián)想則明顯遜色不少，尤其是聯(lián)想PS10，直接露出了QLC顆粒的雞腳。

對于PSSD來說，寫入曲線在出緩后的平穩(wěn)程度，對用戶的實(shí)際影響是顯著的，特別是針對大容量、持續(xù)寫入狀態(tài)下等場景（素材拷貝，內(nèi)容創(chuàng)作等），穩(wěn)定的寫入速度會(huì)帶來更高的效率。所以下面咱們來挨個(gè)具體分析一下6款PSSD的全盤寫入曲線：

從致態(tài)靈·潮流版的寫入曲線可以看得出來，曲線成二段式特征，并且其SLC Cache容量比較小，基本一寫就出緩，還好在出緩后，寫入曲線非常平直穩(wěn)定，保持在平均879.5 MiB/s左右。

三星T9的寫入曲線特征與致態(tài)靈·潮流版很相似，同樣是較少的SLC Cache空間，耗盡后也基本上保持一條平滑直線，而且出緩寫入速度穩(wěn)定在平均917.8 MiB/s左右。

西數(shù)P40的寫入曲線就挺奇怪，雖然里面直接插了SN650E這款M.2 2280 SSD，但在出緩后的寫入速度只能保持在平均556.9 MiB/s左右，慢到讓人費(fèi)解。

反而是閃迪E81的寫入曲線中，穩(wěn)定狀態(tài)下的寫入速度要比其他5款選手都快，就是不知道寫入300 GiB之前這么大的波動(dòng)到底是咋回事，以至于明顯拉低了平均的寫入速度。不過有一說一，它在穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)的寫入速度是6款盤里最快的，達(dá)到了1305.5 MiB/s。

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