如果要描述近期的存儲市場，用“漲價”二字來形容顯然再合適不過。這意味著如果用戶的預(yù)算有限，那么在裝機或升級電腦存儲系統(tǒng)時，應(yīng)盡可能地采用高質(zhì)價比固態(tài)硬盤。簡單來說，在預(yù)算一定的情況下，應(yīng)該選擇性能更強、品質(zhì)更好的產(chǎn)品才能讓錢花得更值。而目前側(cè)重性能、價格相近的高質(zhì)價比固態(tài)硬盤主要有致態(tài)TiPlus7100s、三星990 EVO Plus這兩款產(chǎn)品。那么這兩款產(chǎn)品誰更值得購買呢？接下來就讓我們通過實戰(zhàn)對比測試來一探究竟。

兩款高質(zhì)價比固態(tài)硬盤解析

測試之前，首先讓我們來了解一下兩款產(chǎn)品。本次測試我們將使用它們的2TB產(chǎn)品進(jìn)行對比。其中致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤是致態(tài)經(jīng)典產(chǎn)品TiPlus7100的升級版，它采用了全新的主控與閃存芯片。其主控芯片換為更加先進(jìn)、基于DRAMLESS架構(gòu)（無獨立緩存）的PCIe 4.0 x4 4通道主控，支持HMB主機內(nèi)存緩沖技術(shù)，可占用少量系統(tǒng)內(nèi)存來臨時保存已從閃存讀取的數(shù)據(jù)、需要寫入閃存的數(shù)據(jù)，以及地址映射表，從而有效提升SSD的I/O性能，無須再使用獨立的內(nèi)存顆粒作緩存，可有效降低SSD的功耗與發(fā)熱量。搭配SLC Cache智能緩存技術(shù)的運用，SSD能夠提供穩(wěn)定、高速的傳輸體驗效果。

致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤最大的升級之處，在于該產(chǎn)品采用基于長江存儲晶棧Xtacking4.0架構(gòu)的TLC閃存顆粒。相比Xtacking3.0架構(gòu)TLC閃存顆粒，其IO接口速率從之前的2400MT/s提升到了3600MT/s，因此可以為固態(tài)硬盤帶來更高的吞吐率，更好的性能表現(xiàn)，并借助更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，有效降低閃存的發(fā)熱量與工作溫度。

▲致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤2TB內(nèi)部結(jié)構(gòu)，搭配PCIe 4.0 DRAMLESS主控芯片、Xtacking4.0架構(gòu)TLC閃存顆粒。

根據(jù)致態(tài)官方數(shù)據(jù)，致態(tài)TiPlus7100s 1TB產(chǎn)品的標(biāo)稱順序讀寫速度分別為7400MB/s、6900MB/s，標(biāo)稱隨機4K讀寫性能分別可達(dá)1500K IOPS，其標(biāo)稱寫入壽命為600TBW；2TB產(chǎn)品的標(biāo)稱順序讀寫速度分別為7400MB/s、6900MB/s，標(biāo)稱隨機4K讀寫性能分別可達(dá)1400K IOPS、1500K IOPS，標(biāo)稱寫入壽命為1200TBW；4TB產(chǎn)品的標(biāo)稱順序讀寫速度各為7400MB/s、6900MB/s，標(biāo)稱隨機4K讀寫性能分別為1200K IOPS、1500K IOPS，4TB產(chǎn)品的標(biāo)稱寫入壽命為2400TBW。同時得益于高品質(zhì)長江存儲原廠顆粒的采用，其全系產(chǎn)品均擁有長達(dá)5年的質(zhì)保時間，讓用戶能放心使用。

▲IO接口速率達(dá)3600MT/s的Xtacking4.0架構(gòu)TLC閃存顆粒

▲三款不同容量的致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤詳細(xì)技術(shù)規(guī)格

三星990 EVO Plus也采用DRAMLESS架構(gòu)設(shè)計，其主控為三星的Piccolo 4通道控制器，基于5nm FinFET工藝打造，并設(shè)計有鍍鎳涂層，可以降低主控工作溫度。這款固態(tài)硬盤同樣通過HMB技術(shù)共享內(nèi)存容量來存儲緩存數(shù)據(jù)與FTL映射表，其閃存則是由三星第8代V-NAND技術(shù)打造的V NAND TLC閃存顆粒，單顆容量達(dá)到2TB。因此，本次測試的三星990 EVO Plus 2TB結(jié)構(gòu)很簡單，只由1顆小小的主控芯片與1顆閃存芯片組成。

▲三星990 EVO Plus 2TB產(chǎn)品由1顆主控芯片與1顆閃存芯片組成

性能方面，根據(jù)三星官方數(shù)據(jù)，三星990 EVO Plus 1TB的標(biāo)稱順序讀寫速度分別為7150MB/s、6300MB/s，標(biāo)稱隨機4K讀寫性能分別為850K IOPS、1350K IOPS，其標(biāo)稱寫入壽命為600TBW；2TB產(chǎn)品的標(biāo)稱順序讀寫速度分別為7250MB/s、6300MB/s，標(biāo)稱隨機4K讀寫性能分別可達(dá)1000K IOPS、1350K IOPS，標(biāo)稱寫入壽命為1200TBW；4TB產(chǎn)品的標(biāo)稱順序讀寫速度各為7250MB/s、6300MB/s，標(biāo)稱隨機4K讀寫性能分別為1050K IOPS、1400K IOPS，4TB產(chǎn)品的標(biāo)稱寫入壽命為2400TBW，質(zhì)保時間均為5年?？梢钥吹?，除了標(biāo)稱寫入壽命、質(zhì)保時間相同外，全系三星990 EVO Plus的順序讀寫速度、隨機讀寫性能都比致態(tài)TiPlus7100s相同容量的產(chǎn)品低。那么在實際測試中，這樣的差距是否存在呢？

▲全系三星990 EVO Plus的標(biāo)稱性能規(guī)格都低于相同容量的致態(tài)TiPlus7100s

測試平臺

• 主板：華碩B850M AYW GAMING OC WIFI 7 W
• 處理器：銳龍9 9950X
• 內(nèi)存：芝奇Trident Z5 Neo焰鋒戟RGB DDR5 6000 CL28 32GB套裝
• 硬盤：致態(tài)TiPlus7100s 2TB
• 三星990 EVO Plus 2TB
• 顯卡：GeForce RTX 5090 D v2
• 電源：鑫谷GM1250W
• 操作系統(tǒng)：Windows 11 25H2

致態(tài)TiPlus7100s在基準(zhǔn)測試中優(yōu)勢明顯

首先從基準(zhǔn)測試來看，致態(tài)TiPlus7100s 2TB的優(yōu)勢非常明顯。其順序讀寫速度均小幅超越標(biāo)稱規(guī)格，分別為7471.64MB/s、6976.87MB/s。而三星990 EVO Plus的順序讀寫速度分別只有7251.23MB/s、6201.86MB/s，不僅明顯落后致態(tài)TiPlus7100s 2TB，而且其順序?qū)懭胨俣纫矝]有達(dá)到官方標(biāo)稱的6300MB/s。隨機性能方面，致態(tài)TiPlus7100s 2TB的隨機4K讀取性能達(dá)到1404665 IOPS，小幅超越標(biāo)稱的1400K IOPS，其隨機4K寫入性能則達(dá)到1594954 IOPS，相比標(biāo)稱的1500K IOPS明顯超出。而三星990 EVO Plus 2TB的隨機4K讀取性能達(dá)到標(biāo)稱規(guī)格，測試成績?yōu)?012144 IOPS，但隨機4K寫入性能則依然離標(biāo)稱的1350K IOPS有一段距離，其測試成績只有1288660 IOPS?？傮w而言，致態(tài)TiPlus7100s 2TB在高隊列深度、多線程環(huán)境下的隨機4K讀寫性能大幅領(lǐng)先三星990 EVO Plus 2TB。

再來看與游戲、程序啟動等消費級應(yīng)用關(guān)系密切的隨機4K Q1T1測試，雖然雙方都沒有給出這一性能的標(biāo)稱指標(biāo)，但測試結(jié)果顯示致態(tài)TiPlus7100s 2TB的優(yōu)勢仍很明顯。致態(tài)TiPlus7100s 2TB的隨機4K Q1T1測試成績達(dá)到19099.12 IOPS，三星990 EVO Plus 2TB的測試結(jié)果只有16120.61 IOPS，前者領(lǐng)先18.5%，這意味著致態(tài)TiPlus7100s 2TB很可能有更快的游戲啟動速度、更短的程序數(shù)據(jù)讀寫耗時。

最后在其他磁盤性能測試中，致態(tài)TiPlus7100s 2TB也全面領(lǐng)先三星990 EVO Plus。比如其AS SSD Benchmark測試總分為11570，三星990 EVO Plus 2TB只有10198分，前者領(lǐng)先多達(dá)13.4%；在PerformanceTest 11.1磁盤測試中，致態(tài)TiPlus7100s 2TB的得分達(dá)到56885分，可以擊敗全球98%的其他存儲設(shè)備，而三星990 EVO Plus 2TB的得分只有46913分，只能擊敗全球92%的其他存儲設(shè)備，前者成績領(lǐng)先后者多達(dá)21.3%。而致態(tài)TiPlus7100s 2TB之所以能在這些測試中一馬當(dāng)先，還是得益于其在各個子項測試中有明顯優(yōu)勢。比如致態(tài)TiPlus7100s 2TB在PerformanceTest 11.1磁盤測試的順序讀寫測試成績分別為7477MB/s、6976MB/s，而三星990 EVO Plus 2TB的順序讀寫速度分別只有7289MB/s、5638MB/s。同時，致態(tài)TiPlus7100s的隨機32KQD20測試成績相對三星990 EVO Plus也有大幅領(lǐng)先。

▲三星990 EVO Plus 2TB的PerformanceTest 11.1磁盤測試成績細(xì)節(jié)，讀寫性能均未達(dá)到標(biāo)稱規(guī)格。

▲致態(tài)TiPlus7100s 2TB的PerformanceTest 11.1磁盤測試成績細(xì)節(jié)，讀寫性能均達(dá)到標(biāo)稱規(guī)格，相對三星產(chǎn)品優(yōu)勢明顯。

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