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三星S6手機(jī)怎么樣 三星GALAXY S6圖文詳細(xì)評測介紹

  發(fā)布時(shí)間:2015-03-22 12:06:58   作者:佚名   我要評論
近日,三星GALAXY S6是最受用戶關(guān)注的手機(jī)之一,那么,三星GALAXY S6究竟怎么樣呢?針對此問題,本文就為大家圖文詳細(xì)介紹三星GALAXY S6手機(jī)的全面評測教程,有興趣的朋友們可以了解下本文

更多拍攝樣張 :





三星Galaxy S6依然保持三星在成像方面的特點(diǎn)和優(yōu)勢,細(xì)膩解析力強(qiáng),同時(shí)色彩艷麗。在對于拍照系統(tǒng)進(jìn)行由繁到簡的梳理,默認(rèn)去掉用戶較少用到的功能,轉(zhuǎn)而把拍照模式模塊化,給予用戶最大的自由度。得益于芯片性能和內(nèi)存能力的提高,加上軟件優(yōu)化,拍照啟動(dòng)速度大大提升,把用戶拿手機(jī)拍照最注重的速度體驗(yàn)提高了不少,這也體現(xiàn)了三星軟硬件方面的深厚實(shí)力。手機(jī)拍照的世界里面,再也不是iPhone的孤單天下,三星S6已具備超越的能力。

五,性能評測

如果要問Galaxy S6上最大的亮點(diǎn)是什么,唯一的答案就只能是Exynos 7420這顆處理器。Exynos 7420依然采用的Cortex-A53和Cortex-A57的八核混合架構(gòu),這到?jīng)]什么稀奇。但關(guān)鍵就在于三星制造Exynos 7420用到了自家乃至業(yè)界最先進(jìn)的14nm FinFET制造工藝。橫向?qū)Ρ纫幌?,蘋果最新的A8處理器和高通最新的驍龍810都采用的是20nm工藝,而三星的14nm FinFET整整領(lǐng)先它們一個(gè)級(jí)別。

我們都清楚工藝制程的數(shù)值越小,就代表晶體管之間的距離也越小,相對的能耗就越低,性能也越強(qiáng)。只是晶體管之間的距離小到一定程度之后,就會(huì)發(fā)生“漏電(Leakage)”現(xiàn)象,而FinFET(鰭式場效晶體管)技術(shù)就是專為解決這類問題而生。這種工藝能夠改善電流控制并減少漏電流(Leakage)現(xiàn)象,從而使得芯片制程工藝數(shù)值得以再次下探。目前市售半導(dǎo)體處理器的最高工藝制程也就只到14nm而已,所以Exynos 7420也可算是工藝最先進(jìn)的處理器之一了。接下來我們就跑個(gè)分測試看看。

Exynos 7420 Antutu V5.6.1跑分結(jié)果

安兔兔的測試總成績是70366分,這個(gè)分?jǐn)?shù)完全超出了我們預(yù)想的范圍,也同樣超出其他安卓機(jī)型一大截。雖然也可能是Antutu本身的問題,但也間接說明了Exynos 7420的厲害之處。與搭載高通驍龍801的HTC One M8對比,Exynos 7420除了在單線程浮點(diǎn)與2D繪圖方面小輸之外,其余是全面碾壓。尤其在RAM速度一項(xiàng)上,Galaxy S6是HTC One M8分?jǐn)?shù)的2.3倍,相信這也和Galaxy S6采用了LPDDR4內(nèi)存有關(guān)。

而在跨平臺(tái)跑分軟件GeekBench3上,Galaxy S6也拿到了單核1330分,多核4758分。那iPhone 6跑了多少分呢?結(jié)果是單核1633分,多核2923分。雖然Galaxy S6在單核性能上不及iPhone 6,但也是安卓陣營中最高的了。

除了強(qiáng)大的14nm工藝與LPDDR4內(nèi)存之外,三星還給Galaxy S6中引入了UFS嵌入式存儲(chǔ)技術(shù),簡單來講就是ROM的讀取速度更快??斓绞裁吹夭侥??據(jù)官方數(shù)據(jù)顯示UFS嵌入式儲(chǔ)存相比普通的eMMC 5.0要快上2.7倍左右。所以這一次Galaxy S6的硬件說是安卓陣營最強(qiáng)也是毫不為過了。

評測總結(jié):

綜上所述,三星Galaxy S6是一部名副其實(shí)的旗艦手機(jī),它集合了三星目前最高端的軟硬件技術(shù),將最給力的大招放出來了。擁有三星自家Exynos八核心處理器,3GB LPDDR4閃存,5.1英寸Super AMOLED節(jié)能2K屏幕,玻璃與金屬相映成輝的設(shè)計(jì),這些均符合旗艦安卓手機(jī)的定位。依托三星Galaxy S6手機(jī)的影響力,三星正以觸底反彈的態(tài)勢爭取手機(jī)市場份額的擴(kuò)大化。

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