出緩后立刻進入第二段TLC直寫階段，并且直寫速度達到了驚人的2500MB/s左右。

當TLC區(qū)域用光后，進入了第三段WriteBack懲罰階段，此時SSD要一邊將SLC緩存中的數據重新釋放為TLC區(qū)域，一邊還要兼顧新數據的寫入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能達到900MB/s上下，性能非常強勁。

接下來我們再來看看三星990 EVO Plus的寫入曲線：

三星990 EVO Plus 1TB的SLC緩存給的有點小，空盤情況下只有108GB左右，不過緩內寫入速度挺不錯，能達到6200MB/s左右。

雖然不是全盤模擬方案，但是三星還是選擇了把WriteBack懲罰前置，在SLC緩存耗盡后直接進入WriteBack懲罰階段，寫入速度大幅度下降至不到1000MB/s，并且波動很大，穩(wěn)不下來。

感覺三星的存儲固件部門有些吃老本了，這個懶惰的回收策略其實挺讓人摸不著頭腦的。本身990 EVO Plus給的SLC緩存就較小，不利于爆發(fā)式寫入任務，這下出緩后直接進入性能懲罰？緩內緩外都沒吃到紅利，就讓人有點麻爪。

西數SN770 1TB的全盤讀寫曲線如下圖所示：

西數SN770采用的是典型的全盤模擬SLC緩存方案，雖然緩內空間很大，在空盤狀態(tài)下達到了全盤的1/3容量，緩內寫入的表現也不錯，但是一旦遇到真正的超大量數據寫入，SLC Cache耗盡后，寫入速度就會一落千丈，WriteBack懲罰階段直接跌落至500MB/s左右的速度。

本來以為SN770作為西數在PCIe4.0時代的旗艦級黑盤，會延續(xù)SN750的輝煌表現，沒想到它只是SN550的進階版而已。

接下來看看金士頓的全盤讀寫曲線，真的很有意思，值得多說幾句：

金士頓NV3與西數SN770類似，也是采用了全盤模擬方案，使用剩余空間的1/3模擬SLC緩存，不過看到這條寫入曲線后，我陷入了深深的矛盾，很難想象一條曲線既有TLC特征，又有點像QLC盤。

首先，金士頓NV3的SLC緩存占全盤的1/3左右，正常來說正好是TLC SSD模擬SLC的比例，到這里還沒啥問題。

但是它出緩后的寫入速度只有不到300MB/s，我只在Solidigm P41 Plus等QLC SSD中看到過這個速度，屬實有點過于慢了，比SN770還慢。

而文章開頭提過的，FlashID顯示結果證明了我手頭這塊NV3確實是TLC顆粒——那你為啥要把參數和TBW標注得像塊QLC SSD一樣？為啥緩外寫入速度要這么慢？盲猜金士頓NV3的固件其實是為了QLC顆粒調校的？再結合320TBW，只能說后續(xù)有大概率要偷摸換成QLC顆粒。

只能說阿金你是會玩整活兒的。

考慮到有的朋友還是有點懵，我們來對這款SSD的SLC緩存方案做個簡單的解讀吧。

1.以順序寫入一次全盤的耗時來對比，匯總成圖表如下，可以看到致態(tài)TiPlus7100是毫無疑問最快的，耗時斷崖式領先其他3位選手：

2.致態(tài)TiPlus7100的優(yōu)勢還在于，SLC緩存耗盡后會先進入TLC直寫階段，高達2500MB/s的寫入直寫速度同樣能盡量保障寫入效率，反觀其他位選手出緩即斷崖式掉速。

這就說明，如果需要單次超大容量的數據寫入工作，致態(tài)TiPlus7100采用的動態(tài)SLC緩存方案更有優(yōu)勢的，效率更高、用時更短。

2.SLC緩外4K隨機讀取性能

SSD的小粒度隨機存取性能是影響我們日常使用流暢性的關鍵。雖然SSD的真實運行過程是各種粒度、各種讀寫比例混雜的復雜流程，但是從4K小粒度隨機讀寫的性能中，我們可以管中窺豹。

我們日常使用電腦時，打開軟件或者加載游戲等操作，所訪問的基本都是已經被挪出SLC Cache外的、在TLC區(qū)域內的數據。

在這種情況下，測試TLC區(qū)域內真實狀態(tài)下的4K隨機讀取性能就是一件很有意義的事情。

這里為了保證測試前SSD能夠進入臟盤穩(wěn)態(tài)，先以128KB Q32T4順序寫入填盤兩次后，再對4款SSD進行時長為600s的Q1T1 4K隨機讀取測試，最終得到了如下所示的SLC緩外4K隨機讀取速度曲線圖。

將平均速度匯總成柱形圖更方便對比：

致態(tài)TiPlus7100和新出的NV3并列在第一梯隊，平均速度都達到35MB/s左右，基本沒大差距。

西數SN770取得了第三名，達到了32.85MB/s。

反倒是同樣最新發(fā)布的三星990 EVO Plus竟然還不到30MB/s，這是我萬萬沒想到的。

3.4K隨機長時間寫入測試

這里簡單科普下，一個SSD在正常工作期間會經歷三個階段，參考SNIA的提法，分別是：

FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、剛開封的盤。經過安全擦除的SSD也近似于FOB狀態(tài)。這個時候的盤所有的頁都是空白的，任何寫入操作都可以直接進行編程，不需要考慮擦除、垃圾回收等操作的影響。消費類SSD的標稱性能都是處于這個狀態(tài)。這個階段的測試成績可以看做是養(yǎng)精蓄銳之后的沖刺，漂亮，但不可持續(xù)。

Transition：過渡或者轉換狀態(tài)。這個狀態(tài)的性能會明顯低于全新時的表現，但是又高于穩(wěn)定態(tài)。不同的SSD在這個階段的性能表現和持續(xù)時間差異較大，這與主控、固件、介質都有關系。隨著技術進步，較新式的數據中心SSD會比早期的SSD更容易度過這個階段。這個階段可以看做是跑步期間休息了一會兒，再次跑起來的時候顯得還比較輕松，但也不可持續(xù)。

Steady State：穩(wěn)定態(tài)或穩(wěn)態(tài)。測試成績比之前的要低，但波動不大了，譬如連續(xù)五次測試的平均性能變化不超過20%。這是長跑的真正狀態(tài)，呼吸節(jié)奏均勻，對肌肉酸痛已經麻木，配速比較穩(wěn)定。隨著時間持續(xù)，性能可能會進一步下降，但變化比較平緩。

由于SSD在標稱容量之外，還有一些保留的空間（OP），所以，為了在測試時確保所有頁被寫入，設計的寫入量一定要明顯大于標稱容量，通常操作就是直接滿盤寫兩遍進行預處理，然后進行4K隨機寫入，以觀察寫入速度是否能夠收斂。

該項測試對于普通家用用戶來說其實不用太在意，畢竟我們平時使用時都會有SLC緩存加速的，不過對于極少數重度生產力用戶來說，可以通過該項測試來評估SSD的主控性能和固件調校水平。

在上面的測試環(huán)節(jié)中，我們已經對4款SSD進行了長時間順序寫入操作，正好完成了填盤預處理，所以抱著別浪費機會的想法，順帶著對這4款SSD也進行了Q1T1 4K隨機寫入60min的項目，記錄寫入曲線如下（為方便理解與對照，這里使用MB/s而不是IOPS作為單位）。

如圖所示，致態(tài)TiPlus7100的寫入曲線幾乎沒有離散，很收斂，不過遺憾的是穩(wěn)定之后的QD1 4K隨機寫入速度有點慢。

三星990 EVO Plus，總體來說看起來收斂了，不過有部分降速到幾乎為0的波動極大的情況出現，另外整體的寫入速度同樣也不快。

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