USB-PCIe橋接芯片是祥碩的ASM2364。盤芯使用DRAMBased設(shè)計(jì)的SN850XE。盤芯和綠色PCB之間有強(qiáng)力膠固定，在避免松動(dòng)的同時(shí)也導(dǎo)致很難將其拆下，并不具備自行替換升級(jí)的潛力。

西數(shù)黑盤P40：RGB光效

如果說IP55防塵防水是閃迪E81的賣點(diǎn)，那么RGB光效就是西數(shù)黑盤P40的特色。黑盤P40直接采用了螺絲固定的外殼，但拆開后會(huì)破壞其內(nèi)部的導(dǎo)熱棉連接，因此同樣不建議用戶自行拆解。USB橋接芯片和閃迪E81一樣使用祥碩的ASM2364。

在另一側(cè)，導(dǎo)熱墊將盤芯熱量傳導(dǎo)至另一側(cè)的鋁板上。無DRAM緩存的SN560E盤芯同樣被強(qiáng)力膠牢牢固定在綠色PCB上，很難將其拆下。

功耗測(cè)試

功耗不僅關(guān)系到PSSD移動(dòng)固態(tài)硬盤的發(fā)熱量，在連接手機(jī)/無反相機(jī)作為外置存儲(chǔ)使用時(shí)，還會(huì)影響到這些設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間。我們通過YK003C測(cè)量USB 3.2 Gen2x2接口下各盤的空閑、順序讀取和順序?qū)懭牍摹?/p>

測(cè)試結(jié)果如下，致態(tài)靈·先鋒版待機(jī)功耗僅有0.67W，僅為閃迪/西數(shù)的三成左右，順序讀取和寫入的功耗也僅有后者的不到一半，節(jié)能優(yōu)勢(shì)非常明顯。三星T9雖然在空閑狀態(tài)下功耗較低，但讀寫功耗卻是四款PSSD中表現(xiàn)最差的。

按照讀取速度/功耗來計(jì)算，各PSSD的性能功耗比如下，數(shù)值越高越好。致態(tài)靈·先鋒版大幅領(lǐng)先，三星T9慘遭墊底。

閃存對(duì)性能影響更大

相比功耗，很多人更在意性能。讀寫性能，特別是大量數(shù)據(jù)寫入性能，是大家對(duì)PSSD移動(dòng)固態(tài)硬盤主要關(guān)注方向。我們通過fio對(duì)各盤進(jìn)行全盤容量范圍寫入測(cè)試。

四款PSSD都使用了TLC閃存，不過他們的寫入性能差距卻十分明顯。寫入性能主要受閃存影響。從測(cè)試結(jié)果來看，致態(tài)靈·先鋒版所用的長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)閃存具備更快的寫入速度，能夠在拷貝大量數(shù)據(jù)時(shí)節(jié)省時(shí)間。

上圖中橫軸是時(shí)間（單位：秒），縱軸是寫入速度（單位：MB/s）。致態(tài)靈·先鋒版寫入2TB數(shù)據(jù)用時(shí)1164秒，平均寫入速度1760MB/s。其次是閃迪E81至尊超極速，用時(shí)1798秒，平均寫入速度1112MB/s。隨后是三星T9，用時(shí)2015秒，平均寫入速度947MB/s。最后是西數(shù)黑盤P40，用時(shí)3311秒，平均寫入速度604MB/s。

總結(jié)

從拆解可以看到，品牌PSSD的設(shè)計(jì)思路跟DIY硬盤盒還是有很大的不同。本次測(cè)試的幾款品牌PSSD當(dāng)中，致態(tài)靈·先鋒版在兼顧了最佳性能和最低功耗，同時(shí)還能提供比標(biāo)準(zhǔn)NVMe協(xié)議SSD更加豐富的SMART健康信息。下圖是致態(tài)天樞大師移動(dòng)固態(tài)硬盤管理軟件識(shí)別致態(tài)靈·先鋒版的SMART信息。

在寫入性能方面，PSSD使用的閃存起到了決定性作用。致態(tài)靈·先鋒版是目前我們測(cè)試過的PSSD當(dāng)中寫入最快的，如果日常需要拷貝大體量的數(shù)據(jù)，致態(tài)靈·先鋒版能夠節(jié)能大量等待時(shí)間，提高工作效率。

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