3D TLC經(jīng)典之作 三星860 EVO 250GB詳細(xì)圖文評(píng)測(cè)

產(chǎn)品性能測(cè)試:
這邊啟用了一套新的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)用于橫向?qū)Ρ取y(cè)試環(huán)境為SSD經(jīng)過全盤擦寫和重新分區(qū),消除新盤的雞血狀態(tài)。
連續(xù)讀寫性能選取HD Tune的大文件讀寫測(cè)試,文件大小為50GB。
4K隨機(jī)性能采用IOMeter混合讀寫,分別進(jìn)行QD1的淺隊(duì)列和QD32的深隊(duì)列測(cè)試。因?yàn)槿粘J褂弥胁粫?huì)存在純粹的讀寫行為,會(huì)在讀寫測(cè)試中反向混入25%的負(fù)載(例如讀取測(cè)試中75%讀取,25%寫入)。
現(xiàn)在部分SSD會(huì)通過玩命調(diào)教固件來提升4K的隨機(jī)數(shù)值,所以這邊引入4K離散值統(tǒng)計(jì)來讓那些表面SSD露出原型。公式中會(huì)包含對(duì)不同SSD IOPS平均值的補(bǔ)償,不會(huì)出現(xiàn)性能低的SSD,離散會(huì)較低的BUG。
IO延遲的部分則會(huì)采用AS SSD 10G文件測(cè)試,連續(xù)三次讀寫延遲的數(shù)據(jù)取平均值。

以下為橫向統(tǒng)計(jì)的圖表,相對(duì)于其他的SATA SSD來說,860 EVO的優(yōu)勢(shì)還是比較大的。

下圖是離散部分的測(cè)試,可以看到在QD1淺隊(duì)列下860 EVO的離散穩(wěn)定性比較相當(dāng)好。在QD32深隊(duì)列下860 EVO的讀取依然比較穩(wěn)定,但是寫入性能波動(dòng)比較大,應(yīng)該是SLC緩存持續(xù)介入導(dǎo)致的。
因?yàn)閷懭腚x散的問題,所以最終我沒有選擇用860 EVO作為我目前SSD橫向?qū)Ρ鹊臏y(cè)試標(biāo)桿。

常規(guī)產(chǎn)品性能測(cè)試大致會(huì)分為三段。
開箱性能測(cè)試,這個(gè)環(huán)節(jié)可以測(cè)試出SSD在最好狀態(tài)下大致可以達(dá)到什么性能。
壓力測(cè)試,這個(gè)環(huán)節(jié)通過長(zhǎng)時(shí)間滿載寫入,用于測(cè)試SSD在極端壓力下性能會(huì)到什么程度。
日常狀態(tài)測(cè)試,在壓力測(cè)試之后,會(huì)通過一小時(shí)待機(jī)和重新分區(qū)讓SSD重新恢復(fù),來體現(xiàn)日常使用中的性能表現(xiàn)。
這里首先抓最有看頭的SSD壓力測(cè)試。在新盤狀態(tài)下HD Tune的讀寫曲線大致在336MB/307MB的程度??梢钥吹?60 EVO同樣有設(shè)置SLC緩存, SLC緩存中性能可以達(dá)到375MB左右,大小約為8G。讀取性能顯得比較一般,曲線也不是很好看,但是寫入性能表現(xiàn)較好。


對(duì)SSD的擦除采用HD Tune對(duì)SSD進(jìn)行持續(xù)擦寫,截圖中可以看到860 EVO的寫入速度始終維持在300~350之間,這個(gè)表現(xiàn)對(duì)于一顆250G SSD來說已經(jīng)是相當(dāng)好了。這邊對(duì)SSD連續(xù)寫入了一個(gè)小時(shí)。


在完成壓力測(cè)試后讀寫性能大致在337MB/254MB這樣,讀取變化不大,寫入有衰減但不算特別嚴(yán)重。


在待機(jī)一小時(shí)之后,讀寫性能提升到356MB/302MB。寫入曲線恢復(fù)了比較多,表現(xiàn)已經(jīng)算不錯(cuò)了。
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