中芯國(guó)際40nm工藝的ReRAM存儲(chǔ)芯片出樣:讀取速度比NAND快1000倍
我要評(píng)論目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）。
2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作，發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中，中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
近日，兩者合作的結(jié)晶終于誕生，中芯國(guó)際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。
據(jù)介紹，這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng)，密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫(xiě)入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片（200mm2左右）即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。
另外，按計(jì)劃更先進(jìn)的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問(wèn)世。
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