機械硬盤還沒普及10TB，固態(tài)硬盤已經(jīng)向著更高的層次高速進軍了。三星創(chuàng)造了15.3TB的記錄并將其推向市場，希捷就展示了60TB的恐怖容量，而作為固態(tài)存儲行業(yè)的領軍者，三星自然不甘示弱。

年度閃存峰會上，三星就集中展示了一系列新的閃存技術(shù)，其中就包括容量達32TB的新硬盤。

首先是第四代3D V-NAND立體堆疊閃存，從第三代的48層增至64層，單晶粒最大容量512Gb(64GB)，TLC類型，IO接口傳輸速度也提高到了800Mbps。

基于此新技術(shù)，三星可以在單顆芯片封裝內(nèi)，做到1TB容量，甚至是13×11.5毫米的單芯片BGA SSD都能做到1TB。

同樣基于此，16TB PM1633a進化為了32TB PM1643，號稱世上最大容量硬盤，但嚴格來說是最大的2.5寸，希捷那個60TB是3.5寸的。

下一代企業(yè)級的NVMe SSD PM1735，將會使用PCI-E 4.0 x8總線，帶寬達12GB/s，不過誰也不知道PCI-E 4.0標準何時出爐呢。

然后，三星創(chuàng)造了一種114毫米長、32毫米寬的超大號M.2 SSD(一般企業(yè)級110×22毫米、消費級80×22毫米)，容量可達8TB，能在1U機架空間內(nèi)實現(xiàn)256TB。

標準型的M.2則可以做到4TB。

還有，三星宣布了新的“Z-NAND”閃存技術(shù)、新的主控、新的“Z-SSD”硬盤，介于傳統(tǒng)SSD和內(nèi)存之間，性能高于傳統(tǒng)NVMe、PRAM SSD，延遲則類似后者，能效也更高。

從新聞稿看，Z-NAND并不是Intel、美光搞的那種混合式3D XPoint，因為其基本結(jié)構(gòu)和V-NAND是相通的，只不過加入了特殊電路和主控設計，實現(xiàn)性能最大化。

三星將在今年推出1TB Z-SSD，明年增加2/4TB。

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