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打破QLC閃存刻板印象! 閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤性能測評

  發(fā)布時間:2025-11-17 15:49:16   作者:佚名   我要評論
作為WD Blue系列的最新一代產(chǎn)品,SN5100在繼承了前代SN5000可靠性的基礎(chǔ)上,進(jìn)行了全面升級,尤其是在QLC閃存技術(shù)上的優(yōu)化,讓這款藍(lán)盤SSD擁有了接近高端Gen4黑盤的性能水平

本人經(jīng)常會拍攝4K超高清視頻素材,然后將視頻文件導(dǎo)出到電腦中進(jìn)行編輯處理,無疑會占據(jù)不小的存儲空間,還有游戲數(shù)據(jù)也不容忽視,動輒幾十上百GB,重要數(shù)據(jù)往往無法輕易刪除,電腦的存儲空間便漸漸告急,面對一困這境讓人不得不想辦法給電腦擴容,作為數(shù)據(jù)存儲盤,容量必須足夠大,高速且穩(wěn)定的讀寫性能,閃迪最新出品的 SN5100 2TB固態(tài)硬盤屬于WD Blue系列最新一代產(chǎn)品,其采用PCIe4.0×4傳輸規(guī)格,順序讀取速度達(dá)到7100MB/s,接下來對固態(tài)硬盤進(jìn)行多項測試,看看讀寫性能表現(xiàn)究竟如何。

外包裝盒子以藍(lán)白紅三色為主色調(diào),正面中間印了閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的外觀設(shè)計圖案,上方為醒目的紅色Sandisk閃迪品牌標(biāo)識,以及容量版本,WD Blue系列產(chǎn)品定位為消費級主流性能級別,在下方標(biāo)了“PCIe4.0”與7100MB/s順序讀取速度,其性能和定位一目了然。

包裝盒子內(nèi)含有固態(tài)硬盤與一份說明書,閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤采用M.2 2280尺寸規(guī)格,以及單面顆粒布局設(shè)計,全部元器件均設(shè)于PCB正面,對于一些迷你小主機或輕薄筆記本電腦等空間緊湊的設(shè)備更友好,標(biāo)簽貼紙位于PCB中部,印了一些基礎(chǔ)信息與產(chǎn)品序列號。

主控芯片與閃存顆粒分別位于標(biāo)簽貼紙的兩側(cè),閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤采用無獨立緩存DRAM-less架構(gòu)設(shè)計,其搭載閃迪自研主控芯片,型號絲印為A101-000103-A1,支持HMB技術(shù)和智能SLC緩存技術(shù),支持NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議和PCIe4.0×4傳輸接口,右下方為電源管理芯片。

閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤搭載SANDISK BICS 8 QLC 3D CBA NAND閃存顆粒,其絲印編碼為029156 2T00,單顆粒容量達(dá)到2TB,支持nCache 4.0技術(shù),固態(tài)硬盤提供500GB、1TB、2TB與4TB四種容量規(guī)格,目前在售容量版本為500GB、1TB與2TB,在預(yù)算允許的前提下盡量選擇大容量版本。

主控芯片與閃存顆粒相距較遠(yuǎn),可有效避免發(fā)熱源過于集中,固態(tài)硬盤的背面并沒有配備任何元器件,表面僅印有認(rèn)證標(biāo)識,2TB容量版本的標(biāo)稱順序讀取寫入速度可達(dá)7100MB/s與6700MB/s,最大4K隨機讀取寫入為1000K IOPS與1300K IOPS,具體性能表現(xiàn)下面會詳細(xì)測試。

在質(zhì)保服務(wù)方面,廠商為閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤提供五年有限質(zhì)保服務(wù),其中2TB容量版為900TBW,1TB容量版為600TBW,假設(shè)固態(tài)硬盤用于存儲視頻圖片等素材,按照日均寫入量約200GB去算,五年總寫入量才到350TB,因此900TB的寫入耐久度足以應(yīng)對絕大多數(shù)應(yīng)用場景。

接下來閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤進(jìn)行讀寫性能實測,本次會在Intel平臺上測試,處理器為Intel Ultra7 265K搭配Z890M芯片組主板,所有性能測試均在該平臺上進(jìn)行,除非另有說明,將固態(tài)硬盤安裝主板的首個M.2插槽上,該插槽直連處理器并支持PCIe5.0傳輸規(guī)格。

先使用CrystalDiskInfo軟件去查看固態(tài)硬盤的運行狀態(tài),當(dāng)前處于PCIe4.0×4傳輸模式,支持NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn),以及SMART、TRIM,以及VolatileWriteCache等技術(shù),由于搭配主板自帶鋁合金散熱模塊輔助散熱,待機溫度僅為26℃左右,格式化后用戶實際可用容量為1.81TB。

用戶也可通過專屬的Sandisk Dashboard儀表盤工具快速了解固態(tài)硬盤運行狀態(tài),包括當(dāng)前溫度容量與讀寫速度等關(guān)鍵信息,此外還可通過軟件對固態(tài)硬盤進(jìn)行固件升級優(yōu)化性能,或者安全擦除固態(tài)硬盤數(shù)據(jù),使固態(tài)硬盤恢復(fù)到出廠狀態(tài)確保數(shù)據(jù)安全,設(shè)置寫緩存功能或者開關(guān)Windows的TRIM功能。

在英特爾酷睿Ultra 7 265K處理器硬件平臺測試,在Crystal Disk Mark基準(zhǔn)讀寫測試中,閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的順序讀取寫入速度分別為7122MB/s與6721MB/s,4K單線程讀寫速度分別為114.92MB/s與309.23MB/s,4K隨機讀寫IOPS分別為1199K與1463K。

在AMD銳龍9 9950X3D處理器+B850M主板上進(jìn)行性能測試,實測閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的順序讀取速度為7332MB/s,順序?qū)懭胨俣葹?726MB/s,4K單線程讀寫速度為85.23MB/s與246MB/s,固態(tài)硬盤在Intel/AMD兩個平臺中均達(dá)到所標(biāo)稱的順序讀寫速度。

ATTO Disk Benchmark基準(zhǔn)性能測試軟件,測試結(jié)果如下圖,閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤面對4K大小文件時的讀寫速度分別為321MB/s與732 MB/s,當(dāng)文件大小在64KB以上基本達(dá)到滿速寫入,最大讀取寫入速度分別為6.64GB/s與6.27GB/s。

3DMark基準(zhǔn)性能測試軟件存儲基準(zhǔn)測試項目,成績高低會受到硬件平臺或接口的影響,閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤在該測試項目中的得分為4237,平均帶寬為700MB/s,平均存取時間只有45μs,加載《戰(zhàn)地風(fēng)云5》游戲時帶寬為1383MB/s。

PCMark10基準(zhǔn)性能測試軟件,數(shù)據(jù)盤基準(zhǔn)測試項目,閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的成績?yōu)?899分,單寬為862.88MB/s,平均存取時間為26μs,屬于很不錯的成績。

TxBENCH基準(zhǔn)性能測試軟件,測試結(jié)果一般會低于前面的Crystal Disk Mark軟件,實測閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的順序讀寫速度分別為7060MB/s和6725MB/s,在4K單線程隨機讀寫速度分別為106.765MB/s與266.860MB/s。

順道對閃迪WD Blue SN5100 2TB固態(tài)硬盤進(jìn)行全盤寫入測試,從曲線可見呈現(xiàn)出兩段式寫入速度,在空盤狀態(tài)下,SLC緩存大小約為470GB,此時寫入速度能達(dá)到6500MB/s,當(dāng)SLC緩存耗盡后進(jìn)入直寫模式,此時寫入速度也能達(dá)到450MB/s,全盤寫入總耗時約為55分鐘。

前面是基于空盤狀態(tài)下的性能測試,與廠商標(biāo)稱的讀寫速度值相匹配,在實際當(dāng)中固態(tài)硬盤中存儲軟件游戲與視頻等大量數(shù)據(jù),接著利用游戲文件數(shù)據(jù)將固態(tài)硬盤存儲空間填充至90%,繼續(xù)觀察其讀寫性能表現(xiàn),在90%占用率下的讀寫速度分別為7119MB/s與6425MB/s,對比空盤狀態(tài)寫入速度下降了一點點,讀取速度則相差無幾。

這款固態(tài)硬盤十分適合作為游戲文件數(shù)據(jù)存儲盤使用,即使在接近滿盤狀態(tài)下也能做到讀取不降速,比如在游戲《魔咒之地》中內(nèi)置基準(zhǔn)測試功能,可查看場景載入速度,選了三個模型較為復(fù)雜的場景,載入耗時分別為2.003s、1.851s與1.026s,與空盤狀態(tài)下的載入時間并無差距,為玩家提供了穩(wěn)定高速載入的使用體驗,減少等待的時間

最后測試固態(tài)硬盤的發(fā)熱表現(xiàn),閃迪WD Blue SN5100 2TB固態(tài)硬盤提供了兩個溫度傳感器數(shù)據(jù),分別代表著主控芯片與閃存顆粒的溫度,測試時室溫為28℃并搭配主板的金屬散熱模塊,利用軟件記錄全盤寫入測試期間的溫度數(shù)據(jù),顯示主控芯片與閃存顆粒的最高溫度分別為58℃與62℃。

結(jié)語:

閃迪WD Blue SN5100 2TB固態(tài)硬盤采用無獨立緩存DRAM-less架構(gòu)設(shè)計,雖然其所搭載QLC閃存顆粒,但經(jīng)過對固態(tài)硬盤進(jìn)行多方面性能測試,完全不輸搭載TLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤,也確實打破本人對QLC閃存顆粒的刻板印象,其有著相當(dāng)優(yōu)秀的讀寫表現(xiàn),實測固態(tài)硬盤的順序讀寫速度可達(dá)7122MB/s與6721MB/s,已經(jīng)達(dá)到PCIe4.0×4傳輸接口的上限,4K隨機讀寫部分也相當(dāng)亮眼。

廠商對固件策略做了深入的優(yōu)化調(diào)整,SLC緩存空間給得足夠大,前期能保持超快的寫入速度,即便SLC緩存空間耗盡后寫入速度也達(dá)到450MB/s,大幅縮短數(shù)據(jù)文件拷貝過程所耗時間,整個寫入過程曲線十分穩(wěn)定,在90%空間占用狀態(tài)下也沒出現(xiàn)明顯的性能下降,從整體的表現(xiàn)來看可滿足游戲辦公等不同場景的性能需求,適合內(nèi)容創(chuàng)作者或者游戲玩家作為數(shù)據(jù)存儲盤使用,在性能與溫控等方面也做到了不錯的平衡。

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