今年3月份，長江存儲(chǔ)在深圳舉辦的閃存市場(chǎng)峰會(huì)上宣布了三款面向OEM商用市場(chǎng)的新款SSD：PC550、PC450和PC42Q。近期我們拿到了長江存儲(chǔ)PC450的測(cè)試樣品，它是現(xiàn)有PC411的升級(jí)版，依然采用四通道DRAMLess設(shè)計(jì)，閃存升級(jí)至最新的長江存儲(chǔ)X4-9070。

如果將其和PC411進(jìn)行對(duì)比，我們還能看到一些布局方面的改進(jìn)：主控、電源管理芯片和閃存顆粒現(xiàn)在更均勻地分布在PCB不同位置上，而不是像PC411那樣集中在兩端。PC411在旗艦性能SSD中的散熱表現(xiàn)已經(jīng)是處于行業(yè)領(lǐng)先水平，而PC450的新設(shè)計(jì)還將帶來更好的散熱表現(xiàn)。

長江存儲(chǔ)PC450沿用了空間兼容性出色的單面PCB設(shè)計(jì)，擁有M.2 2280/2242兩種規(guī)格和512GB、1TB、2TB三種容量可選，能夠適應(yīng)各種品牌機(jī)的預(yù)裝需求。這次評(píng)測(cè)的是M.2 2280 1TB版本。由于產(chǎn)品標(biāo)簽設(shè)計(jì)的改變，各種認(rèn)證標(biāo)識(shí)被移到PCB背面。

PC450使用基于晶棧®Xtacking® 4.0技術(shù)的長江存儲(chǔ)第五代TLC 3D NAND閃存顆粒——X4-9070，它的I/O傳輸速度達(dá)到3,600MT/s，相比上一代產(chǎn)品提升50%。新款閃存還具備業(yè)界1Tb TLC 3D NAND中領(lǐng)先的存儲(chǔ)密度（相比上代產(chǎn)品提升36%），具備更小的封裝體積。

傳承PC411經(jīng)典的PC450將繼續(xù)提供M.2 2280和M.2 2242兩種規(guī)格，具備512GB、1TB和2TB三種容量可選，單面PCB設(shè)計(jì)，滿足商用電腦需求。本次評(píng)測(cè)的是PC450 1TB版本。

基準(zhǔn)測(cè)試

基準(zhǔn)測(cè)試1：理論帶寬測(cè)試

受PCIe 4.0 x4主機(jī)接口制約，PC450中閃存I/O速度的進(jìn)一步提升已經(jīng)無法帶來更高的順序讀取速度，但依然能夠縮短數(shù)據(jù)在閃存與主控間傳輸用時(shí)，從而提升SSD的4K隨機(jī)存取性能。PC450 1TB的標(biāo)稱4K隨機(jī)讀寫性能970K/1050K IOPS，實(shí)測(cè)成績則達(dá)到1051K/1155K IOPS。

上圖為長江存儲(chǔ)PC450 1TB，下圖為對(duì)照的長江存儲(chǔ)PC411 1TB（標(biāo)稱4K隨機(jī)讀寫850K/700K IOPS，實(shí)測(cè)970K/1145K IOPS）。得益于閃存升級(jí)，PC450的隨機(jī)讀寫性能更好。

基準(zhǔn)測(cè)試2：PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試

PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)針對(duì)當(dāng)代最新固態(tài)硬盤的廣泛測(cè)試，通過記錄-回放原理再現(xiàn)SSD對(duì)各種不同應(yīng)用的性能影響。測(cè)試項(xiàng)目涵蓋系統(tǒng)開機(jī)啟動(dòng)、Adobe設(shè)計(jì)套件應(yīng)用、Office辦公套件應(yīng)用、圖片/ISO文件拷貝復(fù)制、多個(gè)游戲加載過程等測(cè)試內(nèi)容。

長江存儲(chǔ)PC450 1TB在PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試中獲得4254分，相比上代PC411的成績高出15%。

基準(zhǔn)測(cè)試3：3DMark存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試

3DMark存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試涵蓋了戰(zhàn)地5、使命召喚15：黑色行動(dòng)4、守望先鋒三款游戲的啟動(dòng)加載過程、在運(yùn)行守望先鋒的同時(shí)通過OBS記錄1080P游戲視頻、從EPIC平臺(tái)安裝天外世界、天外世界游戲進(jìn)度保存以及將Steam游戲反恐精英：全球攻勢(shì)從移動(dòng)硬盤拷貝到系統(tǒng)盤的過程，涵蓋了PC游戲玩家所能遇到的方方面面。

長江存儲(chǔ)PC450 1TB在3DMark存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試中獲得4346分，相比上代PC411的成績高出167分，百尺竿頭更進(jìn)一步。

進(jìn)階測(cè)試

進(jìn)階測(cè)試1：SLC緩存測(cè)試

在無文件系統(tǒng)條件下使用IOMeter進(jìn)行128KB QD32順序?qū)懭霚y(cè)試1800秒，每秒記錄。從測(cè)試結(jié)果可以看到，長江存儲(chǔ)PC450 1TB在空盤條件下可以提供大約160GB的寫入緩存空間，大約是將一半閃存容量用于模擬SLC寫入。SLC緩存用盡后，TLC直寫速度約為1818 MB/s，緩?fù)鈱懭胨俣认啾萈C411 1TB提升了11%。

建立分區(qū)并格式化，利用IOMeter向盤內(nèi)填充517GB的不可壓縮數(shù)據(jù)，閑置15分鐘后進(jìn)行HDTune文件基準(zhǔn)測(cè)試，此時(shí)長江存儲(chǔ)PC450 1TB依然能夠提供多達(dá)150GB的SLC寫入緩存空間。

在超過半盤使用的情況下，長江存儲(chǔ)PC450 1TB的性能發(fā)揮依舊穩(wěn)健：

過半盤狀態(tài)下的PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試成績4177分，變化不大：

進(jìn)階測(cè)試2：溫度壓力測(cè)試

溫度壓力測(cè)試在27度室溫被動(dòng)散熱條件下使用IOMeter進(jìn)行（1MB QD8T1順序讀?。?，以考察SSD在連續(xù)高負(fù)載條件下的溫控機(jī)制。現(xiàn)在很多輕薄筆記本也會(huì)通過導(dǎo)熱貼將SSD產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至金屬材質(zhì)的D面散發(fā)，所以這次測(cè)試實(shí)際是針對(duì)極端情況的檢驗(yàn)。即便是面對(duì)這樣嚴(yán)苛的測(cè)試條件，長江存儲(chǔ)PC450 1TB依然表現(xiàn)得游刃有余，滿載運(yùn)行249秒后方才首次出現(xiàn)過熱限速，在其后的測(cè)試過程中，進(jìn)入限速狀態(tài)的時(shí)間也很短暫，多數(shù)時(shí)候都能保持滿速讀取。

對(duì)比上代PC411，它在重負(fù)載使用時(shí)相對(duì)更依賴散熱片，無散熱片狀態(tài)下滿速讀取持續(xù)時(shí)間短，進(jìn)入過熱限速更頻繁對(duì)性能影響相對(duì)更大一些?？紤]到兩款型號(hào)在主控設(shè)計(jì)上的延續(xù)性，我們認(rèn)為，更新工藝的閃存顆粒以及優(yōu)化的PCB布局是PC450進(jìn)步的主要原因。

進(jìn)階測(cè)試3：新式待機(jī)測(cè)試

這個(gè)測(cè)試在支持Modern Standby新式待機(jī)的筆記本平臺(tái)上進(jìn)行，目的是檢驗(yàn)SSD在移動(dòng)平臺(tái)上的節(jié)能兼容性。測(cè)試通過PwrTest進(jìn)行，它是包含在Windows Drive Kit中的一個(gè)電源管理測(cè)試程序，可供開發(fā)人員和系統(tǒng)集成商使用的測(cè)試工具。長江存儲(chǔ)PC450 1TB作為測(cè)試平臺(tái)的系統(tǒng)盤，測(cè)試1000次現(xiàn)代待機(jī)循環(huán)。

長江存儲(chǔ)PC450 1TB順利通過測(cè)試，沒有錯(cuò)誤發(fā)生：

總結(jié)

長江存儲(chǔ)通過I/O速率為2400MT/s的第四代三維閃存芯片，打造出突破高性能、低功耗與高性價(jià)比“不可能三角”的PC411商用消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤。新問世的PC450則在已經(jīng)廣受市場(chǎng)驗(yàn)證的PC411基礎(chǔ)上，升級(jí)I/O速率為3600MT/s的第五代三維閃存芯片，在延續(xù)穩(wěn)定性和兼容性優(yōu)勢(shì)的前提下，進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品性能表現(xiàn)，實(shí)測(cè)4K隨機(jī)讀寫性能達(dá)到1051K/1155K IOPS，能夠?yàn)锳I PC提供所需的更高響應(yīng)速度，全面提升用戶的使用體驗(yàn)。

在關(guān)系到高負(fù)載性能發(fā)揮的功耗與散熱方面，長江存儲(chǔ)PC450也進(jìn)行了優(yōu)化升級(jí)。面對(duì)商用消費(fèi)級(jí)SSD復(fù)雜多樣的安裝和散熱環(huán)境，PC450能夠提供業(yè)界領(lǐng)先的溫度表現(xiàn)，在高負(fù)載使用情況下提供更為出色的性能一致性。

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