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首款國產(chǎn)DDR5 32GB內(nèi)存強(qiáng)不強(qiáng)? 金百達(dá)銀爵DDR5調(diào)試+超頻測試

  發(fā)布時(shí)間:2025-01-08 14:32:25   作者:佚名   我要評(píng)論
首款國產(chǎn)DDR5內(nèi)存上線了,前首發(fā)的國產(chǎn)DDR5內(nèi)存有2個(gè)品牌,分別是金百達(dá)和光威,這次上手實(shí)測的就是搭載國產(chǎn)顆粒的金百達(dá)銀爵16GB*2 DDR5 6000的套裝

官超測試

下面的測試包含三個(gè)平臺(tái),分別是Intel i7-14700K、Intel Ultra7 265K和AMD R7 9800X3D,均使用金百達(dá)的6000MHz官超預(yù)設(shè),同時(shí)開啟上文提到的一鍵壓小參功能。

先放一下未壓小參的數(shù)據(jù),也是絕大部分二三線主板用默認(rèn)設(shè)置的實(shí)際水平,平臺(tái)為265K:

  • 魯大師內(nèi)存測試得分為262441。
  • AIDA64內(nèi)存測試,讀取速度為83296MB/s,寫入速度為80995MB/s,拷貝速度為77532MB/s,延遲為93.9ns。

這里的數(shù)據(jù)作為初始標(biāo)準(zhǔn),對(duì)比下面的壓小參和手動(dòng)超頻數(shù)據(jù)。

接下來開始正式測試,魯大師內(nèi)存測試得分如下圖所示:

  • Intel i7-14700K得分為402740。
  • Intel Ultra7 265K得分為293609。
  • AMD R7 9800X3D得分為300753。

看跑分應(yīng)該就知道,壓小參對(duì)比默認(rèn)設(shè)置的提升約在12%左右,同時(shí)不同平臺(tái)的內(nèi)存效能表現(xiàn)是不同的,并且差距比較大,接著看下面的細(xì)節(jié)參數(shù)測試。

其次是AIDA64的內(nèi)存測試工具,內(nèi)存效能測試如下圖所示:

  • Intel i7-14700K平臺(tái),讀取速度為96191MB/s,寫入速度為92369MB/s,拷貝速度為89200MB/s,延遲為68.8ns。
  • Intel Ultra7 265K平臺(tái),讀取速度為91255MB/s,寫入速度為87232MB/s,拷貝速度為85454MB/s,延遲為85.8ns。
  • AMD R7 9800X3D平臺(tái),讀取速度為62523MB/s,寫入速度為83619MB/s,拷貝速度為58298MB/s,延遲為75.1ns。

通過對(duì)比可以看到,如果很在意內(nèi)存效能,還是14代Intel平臺(tái)會(huì)比較合適,Ultra200S平臺(tái)的延遲比較高,AMD則是讀寫能力較差。

手動(dòng)超頻

這里兩個(gè)超頻方向,分別是默認(rèn)電壓超頻和加壓超頻。

默認(rèn)電壓超頻(時(shí)序優(yōu)化)

如果用的是御三家主板,直接壓主時(shí)序就好,這里我沒能壓到太多,頻率只能6000MHz,時(shí)序只能到C34-38-38-76,再低就沒辦法過壓力測試了。

放一下過測圖,沒有任何內(nèi)存輔助散熱的環(huán)境下,6000MHz+C34可以輕松過TM5(1usmus腳本)的壓力測試,

內(nèi)存效能測試如下圖所示:

  • Intel Ultra7 265K平臺(tái),讀取速度為92047MB/s,寫入速度為87460MB/s,拷貝速度為85427MB/s,延遲為88.0ns。
  • AMD R7 9800X3D平臺(tái),讀取速度為62574MB/s,寫入速度為85372MB/s,拷貝速度為58389MB/s,延遲為74.5ns。

對(duì)比上面的官超預(yù)設(shè),只有微量提升,所以如果不打算加壓超頻,不太建議折騰主時(shí)序,區(qū)別不大,用御三家主板的一鍵壓小參就挺好。

加電壓超頻(提升頻率)

這段針對(duì)Intel平臺(tái)+二三線主板的用戶,想要更高頻率就得加電壓,個(gè)人調(diào)試建議如下:

  • CPU三項(xiàng)電壓不要?jiǎng)?,也就是SA電壓、CPU VDDQ和CPU VDD2這三項(xiàng),對(duì)這組內(nèi)存來說意義不大,用XMP的Auto設(shè)置就行,能省找甜點(diǎn)電壓的時(shí)間。
  • 內(nèi)存三項(xiàng)電壓加一些,內(nèi)存VDD電壓和內(nèi)存VDDQ電壓設(shè)置成1.42v左右,內(nèi)存VPP電壓給1.9V。

這里說的是Intel平臺(tái)設(shè)置,AMD不建議折騰。

確認(rèn)加過內(nèi)存電壓之后,可以嘗試將內(nèi)存頻率拉高到6400MHz,時(shí)序用默認(rèn)的不要?jiǎng)樱_認(rèn)后保存修改重啟即可。

PS:我這組最高也就這樣了,阿鹿君那組可以拉到6800MHz,還是看體質(zhì),大家可以參考下。

小參則是標(biāo)準(zhǔn)的那套,直接看下圖抄吧,不同主板可能排列順序不一樣,參數(shù)是一樣的。

放下過測圖,沒有加額外的主動(dòng)內(nèi)存散熱器,室溫13℃,使用AIDA64的內(nèi)存測試工具,內(nèi)存效能測試如下圖所示:

  • 讀取速度為97167MB/s,寫入速度為93234MB/s,拷貝速度為92391MB/s,延遲為83.7ns。

對(duì)比未壓小參的XMP預(yù)設(shè),性能提升約為17%。

體驗(yàn)總結(jié)

簡單說一下本次測試的心得:

  • 首先,國產(chǎn)顆粒的金百達(dá)銀爵DDR5售價(jià)確實(shí)便宜,懶人建議上御三家主板,不然效能是有點(diǎn)差的,如果主板想省錢,手動(dòng)超頻也行。
  • 其次,不同CPU+主板的表現(xiàn)會(huì)不一樣,在意效能選14代Intel酷睿,超頻簡單且效能不錯(cuò),如果上AMD平臺(tái),壓壓小參就好了,不建議超頻率。
  • 最后,這組內(nèi)存的超頻空間比較小,建議是6400MHz+C36,我個(gè)人了解到最高能過測的是6800MHz+C40,不用額外加裝主動(dòng)內(nèi)存散熱器。

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