光威天策DDR4內(nèi)存怎么樣光威天策DDR4內(nèi)存詳細(xì)評測

快科技 發(fā)布時間：2021-04-25 15:14:23 作者：流云

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光威天策DDR4內(nèi)存怎么樣？性能如何？值得入手嗎？下面小編帶來光威天策DDR4內(nèi)存詳細(xì)評測

二、性能測試：超頻到3466MHz很輕松

測試平臺如下：

1、超頻測試

首先是對光威天策DDR4 3000內(nèi)存8GBx4內(nèi)存進(jìn)行超頻，看看它的超頻潛力如何。

我們使用的是微星MEG Z590IUNIFY暗影板主板，最終在1.40V的電壓下，將天策DDR4 3000內(nèi)存超頻到了3400MHz，時序稍稍提升到了17-20-20-38。

使用MemtestPro 4.3測試超頻后的穩(wěn)定性，運(yùn)行了1小時零報錯，證明了超頻后的穩(wěn)定性并沒有問題。

2、天策內(nèi)存AIDA64 內(nèi)存緩存測試

這是直接開機(jī)XMP模式后的測試數(shù)據(jù)，內(nèi)存的讀取、寫入和復(fù)制帶寬分別為43991MB/s、42002MB/S、39439MB/s，而內(nèi)存的延遲則為53.6ns。

在其他所有參數(shù)不變的情況下，直接將內(nèi)存頻率提升到3333MHz，也能穩(wěn)定運(yùn)行，此時時序依然是16-18-18-38.。

實(shí)測內(nèi)存的內(nèi)存讀取、寫入與復(fù)制帶寬分別達(dá)到了48751MB/s、47359MB/s、43588MB/s，延遲僅僅只有50.2ns。

繼續(xù)往上超的話需要動一些參數(shù)，我們在1.4V的電壓下將天策DDR4 3000MHz內(nèi)存超頻到了3466MHz，時序也拉到了17-19-19-38 CR2。

此時內(nèi)存讀取、寫入與復(fù)制帶寬分別達(dá)到了50019MB/s、50985MB/s、45278MB/s，延遲呀降到了49.4ns。

3、XPG龍耀D50 3600MHz內(nèi)存測試

XPG龍耀D50 3600MHz內(nèi)存采用的是海力士特挑CJR顆粒，之所以加入他的測試，是為了看看國產(chǎn)顆粒與國外大廠顆粒之間的性能差異。

將XPG龍耀D50內(nèi)存設(shè)置為3000MHz 16-18-18-36，其內(nèi)存讀取、寫入與復(fù)制帶寬分別為44577MB/s、43621MB/s、40231MB/s，內(nèi)存延遲為52.3ns。

XPG龍耀D50 3600內(nèi)存在3466MHz 17-19-19-38的頻率時序下測得的內(nèi)存讀取、寫入、復(fù)制帶寬分別為49892MB/s、50347MB/s、45166MB/s，延遲為51.5ns。

對比測試數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)在3000MHz頻率下，天策內(nèi)存的性能要稍稍弱于XPG龍耀D50，不過在3466MHz頻率下，天策內(nèi)存總體表現(xiàn)要好一些，特別是延遲時間少了將近2ns。

Tag：光威天策DDR4 內(nèi)存評測

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