二、制程工藝簡(jiǎn)單科普：三星與臺(tái)積電真的無法比較

需要注意的是， 7nm、5nm這樣的工藝節(jié)點(diǎn)名稱，如今變得越來越復(fù)雜，尤其是不同代工廠的工藝節(jié)點(diǎn)，幾乎完全失去了可比性，三星5nm優(yōu)于臺(tái)積電7nm、臺(tái)積電7nm優(yōu)于Intel 10nm……這樣簡(jiǎn)單粗暴的論斷是極端不合適的。

根本原因在于，半導(dǎo)體制程工藝從來都沒有固定的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，如何設(shè)計(jì)、命名完全是各家工廠自己說了算。早些年的制程工藝普遍還有這相對(duì)比較嚴(yán)格的定義，一切以技術(shù)為本，但是自從臺(tái)積電16nm、三星14nm開始就完全亂了，兩家很多時(shí)候?yàn)榱嗽谥笜?biāo)上更好看開始各種騷操作，比如臺(tái)積電16nm改進(jìn)一下就叫12nm ，顯得比三星14nm更先進(jìn)，而三星更是無所不用其極，改一下就是一代新工藝。

Intel曾經(jīng)對(duì)這種“不負(fù)責(zé)任”的做法非常憤慨，提出以晶體管密度為標(biāo)準(zhǔn)，但一來晶體管密度不能完全作為工藝制程定義的規(guī)范，二來Intel自己的工藝確實(shí)遇到了很多困難和尷尬，三星、臺(tái)積電根本不屑一顧，這種爭(zhēng)論也就不了了之了。

話說回來，不同晶圓工廠的工藝制程，也確實(shí)難以從微觀層面進(jìn)行高低比較，比如驍龍888采用的三星制程工藝，就與我們所熟知的臺(tái)積電制程工藝存在區(qū)別：

三星與臺(tái)積電一直都存在技術(shù)路線的分歧，這一點(diǎn)在10nm之后特別明顯。比如三星7nm節(jié)點(diǎn)選擇了某幾層的EUV（極紫外光）光刻，而臺(tái)積電的前兩代7nm工藝在用193nm波長(zhǎng)的浸入式光刻，雖然它們的名字都是“7nm制程”，但是呈現(xiàn)出來的樣子總是千差萬別。

值得一提的是，三星此后的6nm，以及驍龍888選擇的5nm實(shí)際都是7LPP工藝的同代演進(jìn)，而臺(tái)積電則不然，所以兩者的技術(shù)路徑、迭代方式長(zhǎng)期存在較大差異，目前無法從微觀層面判斷三星5nm與臺(tái)積電5nm的孰優(yōu)孰劣、有無高下之分。

三星7LPP工藝的同代演進(jìn)包括6nm、5nm、4nm在內(nèi)

相同的緣故，在缺乏更多公開數(shù)據(jù)支撐的情況下，我們無法判斷驍龍888采用的7LPP同代演進(jìn)的三星5nm制程工藝與驍龍865采用的臺(tái)積電7nm制程工藝綜合起來誰更勝一籌。

簡(jiǎn)而言之，由于不同晶圓廠商的工藝制程存在不同標(biāo)準(zhǔn)、不同迭代節(jié)奏、不同命名規(guī)則的差異，可能沒有辦法將驍龍888與驍龍865在制程上進(jìn)行微觀層面的高低性能比較，故不敢妄下斷言。

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